近年来，三星半导体业务可谓一日千里，新工艺进展神速而且表现优秀，同时Exynos系列处理器也是大杀四方。
三星电子今天宣布，10nm FinFET工艺自从2016年10月底率先投产以来，按照预期取得了稳定的高良品率，满足了客户需求——这显然是在驳斥业内有关10nm良率不佳的传闻。
三星透露，迄今为止，已经出货了超过7万块采用第一代10nm LPE(Low Power Earlr)工艺制造的晶圆。
三星自家的Exynos 8895，以及高通的骁龙835，都采用这种工艺制造。
另外，三星还宣布增加8nm、6nm工艺，它们分别是10nm、7nm的改进版，官方宣称“可比现有工艺提供更好的灵活性、性能、功耗优势”，满足不同客户需求，带来更强的成本竞争优势。
三星将在5月24日举办美国三星代工论坛，披露8nm、6nm的更多技术细节。
